中国工业报记者  祁晓玲

2025年，全球碳化硅行业深陷低价竞争困局，6英寸导电型衬底价格大幅下滑，部分产品一度贴近成本线，行业整体经营承压。2026年，市场供需格局快速扭转，英飞凌、意法半导体等国际龙头率先启动调价，国内衬底、器件厂商同步跟进，全行业进入涨价上行周期。AI算力需求的爆发式增长正在重塑产业增长逻辑，全球企业同步加快技术迭代节奏，国内碳化硅产业链从跟跑迈向并跑，一场深层次的结构性变革正在发生。

6月10日，全球碳化硅技术引领者Wolfspeed,Inc.公司宣布推出第五代(Gen5)技术，将为下一代1200V和750V汽车及工业应用带来效率方面的性能跨越式提升。

在此前后，行业巨头动作密集：6月5日，英飞凌推出可在205℃持续运行的1300V碳化硅功率模块；4月25日，安森美宣布与吉利深化战略合作，将EliteSiC技术集成至900V浩瀚-S超级电混架构。不到两个月内，三家全球头部企业集中释放新品及合作信号，显示碳化硅行业的供需、技术、市场格局正在发生显著变化。

从低价竞争到结构性涨价  供需格局全面扭转

2025年，全球碳化硅市场陷入低价竞争，6英寸导电型衬底价格大幅下探，部分产品一度贴近成本线，行业整体经营承压。产能过剩呈现明显结构性特征——低端衬底及器件供给冗余，高品质车规级衬底的产能储备始终不足。

行情拐点自2025年第四季度逐步显现，2026年供需缺口全面拉开。据上海证券报报道，今年以来，国内碳化硅衬底价格呈现结构性上涨，6英寸产品反弹幅度突出，8英寸价格止跌企稳、小幅上行，头部衬底制造企业产能利用率普遍突破90%。

产业研究机构InSemiResearch高级分析师洪源分析，本轮行业景气上行由终端真实有效需求扩容与产业链企业集中补库存两大因素共同驱动，增长具备较强确定性。过去依靠低价抢占市场份额的竞争逻辑已不再是行业主流，企业比拼的核心转向稳定产能储备与批量交付能力。

AI数据中心崛起：碳化硅从“汽车专属”走向“全域渗透”

长期以来，新能源汽车是碳化硅产业的核心市场。在800V高压平台中，碳化硅功率器件替换硅基IGBT，可使整车综合工况能效提升3%至4%，续航里程增加5%至8%。

真正改写行业格局的是AI数据中心的爆发式增长。随着数据中心机柜功耗从传统服务器的10至15千瓦向更高功率演进，碳化硅凭借耐高压、低损耗的物理特性，在高压供电系统中从可选配件转变为刚性需求。

Wolfspeed披露，企业AI相关业务连续多季度保持高增长，上一季度涨幅达50%，最新季度仍保持30%的增速。据行业测算，2025年AI服务器电源碳化硅市场规模约1亿美元，2026年将增至3亿美元，2027年有望达到5亿至6亿美元，年均复合增长率维持在50%至60%。YoleGroup最新报告预测，到2031年，全球碳化硅功率器件市场规模将达到110亿美元，AI数据中心是核心增长引擎之一。业内人士分析，当前AI赛道对碳化硅的需求增速已超过新能源汽车。

与此同时，碳化硅的应用场景持续拓宽。光伏、储能、充电桩赛道保持高景气度，2026年11月1日充电桩新能效国标将正式实施，有望进一步加速碳化硅器件批量导入充电设备。固态变压器、固态断路器、eVTOL无人机等新兴场景也在逐步落地，碳化硅产业正从单一汽车赛道走向全场景渗透。

技术竞赛提速：从“三年一代”到“18个月两代”

下游需求的快速增长，推动全球企业同步加快技术迭代节奏。以往跨国企业碳化硅产品普遍2至5年更新一代，如今迭代周期大幅压缩。Wolfspeed在18个月内先后推出第四代、第五代两代碳化硅MOSFET技术，成为行业提速的典型样本。

据了解，Wolfspeed发布第五代平面型碳化硅MOSFET技术平台，1200V规格器件在175℃下比导通电阻RSP低至3.4mΩ·cm²，750V规格器件达2.0mΩ·cm²。对比市面主流1200V竞品方案，比导通电阻最高可降低27%，相较企业第四代产品提升41%。这一指标最初研发目标设定为3.6mΩ·cm²，最终实测结果优于预设标准。

Wolfspeed汽车产品市场高级总监JonathanLiao

Wolfspeed汽车产品市场高级总监JonathanLiao向记者介绍，以400kW逆变器为例，采用第四代器件需要10颗芯片并联，更换第五代产品仅需6颗，芯片用量减少40%，能够有效降低系统综合成本。器件可长期在200℃条件稳定运行，短时峰值耐受温度可达215℃，高温区间导通电阻曲线平缓，性能衰减幅度低于同类竞品。第五代全系列产品均通过AEC-Q101车规认证，并完成2000小时高温、更高电压及AQG-324相关负压验证。

Wolfspeed大中华区总裁于代辉

针对行业持续热议的平面型与沟槽型技术路线之争，Wolfspeed大中华区总裁于代辉向记者表示，终端客户真正关注的是器件性能、可靠性与一致性，工艺路线只是实现产品指标的手段。企业坚持平面工艺的核心商业逻辑在于：8英寸产线已实现产能爬坡就绪，客户下达量产订单后最快一个月即可完成产能调配，而沟槽工艺配套设备采购调试周期长达12至18个月；平面工艺拥有三十余年量产积淀，全球已有数十万台车完成装车验证，客户导入风险更低；平面工艺的性能提升空间尚未触顶，研发团队仍在持续迭代。沟槽工艺仅作为长期技术储备同步研究，第六代产品技术路线尚未锁定。

于代辉还向记者回顾了Wolfspeed此前的经营调整。企业曾因超前投建8英寸产线，叠加汽车及AI需求阶段性滞后，工厂产能利用率偏低，背负较高债务。经过债务重组，公司化解70%存量债务，年度利息支出降低60%，部分债权人转为公司股东，公司当前持有12亿美元现金。自2025年9月至今，全球CEO、CFO、COO、CMO等核心商业运营高管完成更新，核心研发团队完整保留。截至2025年底，公司持有全球2300余项碳化硅全产业链专利，覆盖单晶生长、外延、芯片制造、器件封装全部环节，全球首片300毫米（12英寸）碳化硅单晶晶圆已试制下线。

放眼全球，海外巨头同步加快技术落地。英飞凌推出HybridPACKDrive系列1300V碳化硅功率模块，最高耐受205℃高温，输出电流提升15%，并扩充CoolSiC™JFET产品矩阵，适配AI数据中心供电架构。安森美将EliteSiC技术深度融入吉利900V混动整车电气架构，推进整车厂前置联合研发模式。

中国力量崛起：从“跟跑”到“并跑”

海外巨头加速本地化布局的同时，国内碳化硅产业链自主化进程提速，本土企业在部分环节已具备国际竞争力。

在衬底环节，根据日本富士经济2026年3月报告，天岳先进导电型碳化硅衬底全球市场份额达27.6%，其中8英寸导电衬底全球占有率达51.3%，位居全球首位。天岳先进董事长宗艳民表示，碳化硅下游应用边界正在以前所未有的速度拓宽，产业长期成长空间充足。

在器件环节，士兰微8英寸碳化硅功率器件芯片产线于2026年1月正式通线，项目总投资120亿元，一期建成后可形成年产42万片8英寸碳化硅芯片的产能，覆盖新能源汽车、光伏储能、AI服务器电源等核心场景。斯达半导、三安光电等企业同步推进衬底与芯片产线建设，国产器件装车及算力电源批量落地案例持续增加。

碳化硅行业用不到一年时间走完了从产能过剩到供需反转的周期。AI数据中心的爆发式增长改写了行业增长逻辑，让碳化硅从汽车产业的专属器件拓展为数字基础设施的关键部件。技术迭代从三年一代压缩至18个月两代，国际巨头与中国本土力量同台竞技，竞争维度从单一性能比拼扩展至产能储备、供应链韧性与市场响应速度的全方位较量。

市场回暖之下，隐忧犹存。AI算力市场资本开支具有周期性特征，一旦下游采购节奏放缓，行业增量空间将直接承压。国内新能源汽车增速逐步放缓后，碳化硅能否通过工业电源、储能、固态电力设备等新兴赛道对冲车规市场增量下滑，尚需验证。平面型与沟槽型技术路线的博弈仍在持续，下一代主流工艺尚未形成统一共识。与此同时，海内外企业同步扩产6英寸、8英寸产线，若终端需求增速无法匹配产能投放速度，行业或将再度出现中低端产品阶段性过剩。

业内分析人士指出，碳化硅产业下半场的竞争已超越单一器件性能比拼，稳定的大规模量产能力、车规级长期可靠性、完整自主供应链韧性，成为企业决胜市场的核心要素。国内碳化硅产业链虽在衬底出货量及全球市场份额层面实现突破，但在下一代高端器件技术定义、配套专用设备及长期车规可靠性认证体系等方面仍有短板。争夺下一代碳化硅产业技术标准话语权，是本土产业链需要长期攻克的核心课题。