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硬核技术局|业内首创!新一代AI供电技术助服务器功率密度提升60%
来源: 映象网 2026-06-11 17:31
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在人工智能浪潮席卷全球的今天,大模型训练与推理任务对算力的需求呈指数级增长。CPU、GPU等核心芯片的功耗已从几百瓦飙升至1kW甚至更高,而服务器主板的供电系统却面临着“功率悬崖”——传统供电方案在功率密度、转换效率、PCB布局空间三大核心维度上均已触及技术天花板,严重制约了计算平台的性能释放与小型化发展。

如何在高功耗芯片的极限供电需求下,实现更高效、更紧凑、更稳定的供电方案?这已成为AI服务器产业发展的关键瓶颈。

海光信息联合生态伙伴,首创ZeroBiasTLVR(零偏置跨电感稳压器)+DualSPS(双芯合封电源器件)组合方案,以颠覆性的拓扑架构与超高功率密度,精准破解AI大算力场景下的供电难题,为新一代服务器平台提供高效、紧凑、稳定的底层供电支撑,推动AI服务器供电技术迈向新高度!

供电架构演进与板级布局困局:传统方案已到极限

随着AI大模型的广泛应用,单颗GPU的功耗已突破2kW,CPU功耗也向1kW迈进,服务器整机的供电需求呈几何级增长。传统多相Buck方案虽然效率较高、扩展性好,但在高负载瞬态响应上存在明显短板,难以适应多核心高功耗处理器的发展需求。

为解决瞬态响应问题,业内引入TLVR(跨电感稳压器),通过双绕组电感可变等效电感改善瞬态性能,减少电容需求,广泛应用于高性能处理器平台。然而,TLVR的转换效率与功率密度相较于传统Buck方案并无优势,且随着CPU功耗的持续攀升,电路相数与占用面积不断膨胀,而服务器主板受机箱标准严格约束,无法随意扩增。

与此同时,内存通道、PCIe/CXL等高速IO需求井喷,迫使PCB采用超低损耗材料和更多层数,单位面积成本急剧攀升。PCB布局寸土寸金,供电设计面临终极挑战。如何在瞬态响应、转换效率、功率密度与有限布局空间之间取得平衡,成为供电设计的核心痛点。

因此,传统方案已无法满足AI服务器的供电需求,行业亟需一场技术革命!

将ZeroBiasTLVR与DualSPS创新组合,突破性技术解法

面对AI服务器供电的极限挑战,海光信息联合生态伙伴,业内首次将ZeroBiasTLVR与DualSPS创新组合,一举突破传统供电方案的瓶颈,实现功率密度提升50%~60%、效率提升0.7%~1.5%、布局空间极致压缩的跨越式进步!

ZeroBiasTLVR:颠覆性拓扑结构,提升电源效率

Zero-BiasTLVRvsTLVR

ZeroBiasTLVR电感与传统TLVR电感的核心差异,集中体现在副边绕组拓扑结构上。传统TLVR方案中,各电感副边绕组经补偿电感Lc互联后接地,稳态下Lc环路无直流分量,而原边存在显著励磁电流,致使TLVR电感磁芯承受极强的稳态直流偏置磁通,磁芯利用率被严重压制。

ZeroBiasTLVR则通过创新拓扑重构,将PHASE1开关节点SW接入Lc,再与各副边绕组互联并最终接输出VOUT,以此在副边绕组中引入与原边幅值相等、方向相反的直流电流,实现磁芯内部直流磁通精准抵消。

消除磁芯直流偏置,磁芯利用率质的飞跃

ZeroBiasTLVR通过拓扑重构,彻底消除TLVR电感磁芯直流偏置,使磁芯利用率实现质的飞跃。在同等封装尺寸下,电感量显著提升,开关频率可从传统的600kHz~800kHz下压至400kHz~600kHz,电源转换效率提升0.7%~1.5%。

TLVREfficiencyvsZero-BiasEfficiency

ZB-TLVR拓扑减少一相电感,叠加磁通归零设计,放宽电感饱和电流要求,进一步压缩体积

传统TLVR对电感饱和电流要求极高,导致电感体积难以进一步缩小。而ZeroBiasTLVR采用磁通归零设计,放宽了对电感饱和电流的严苛要求,进一步压缩体积,缓解PCB布局压力,相较于传统TLVR方案,ZeroBiasTLVR在效率、功率密度、体积控制上均实现显著优化,功率密度跃升15%~20%。

TLVRLayout(左)vsZero-BiasTLVRLayout(右)

DualSPS:双芯合封,小空间释放大能量

SPS(左)vsDualSPS(右)

16×6mm封装内集成两颗SPS核心,功率翻倍,尺寸仅增50%

SPS(SmartPowerStage,智能功率级)为集成化功率器件,内部集成Buck拓扑所需上下桥臂高性能功率MOSFET与专用智能驱动电路,实现功率开关与驱动控制一体化封装。为了进一步提升电源功率密度,海光信息联合生态伙伴,采用双芯合封(DualSPS)的突破性设计,在仅6×6mm的微型封装内集成两颗SPS核心,功率直接翻倍,尺寸仅增加50%,功率密度强势提升33%!

散热进一步升级

随着电源功率密度持续升级,功率MOS损耗热量进一步集聚,散热设计难度大幅提升;若器件温升超标,受半导体温度特性制约,MOS无法长期满载运行在额定直流TDC电流规格,直接限制电源满载输出能力。传统单SPS方案仅依靠基板底部单面散热,散热路径单一、热阻偏高;新一代DualSPS架构改用芯片双面散热结构,上下两面同步布设散热通路,有效缩短导热路径、大幅降低整体热阻,模块热阻可控制在1℃/W以内。最终实现功率密度提升、热源更加集中的产品设计前提下,芯片温升得到有效管控,保障MOS长期稳定工作于标称额定电流。

组合方案:功率密度暴涨50%~60%,供电能力全面升级

将ZeroBiasTLVR电源拓扑与DualSPS封装技术两项架构深度融合,能够充分发挥各自拓扑优势,大幅拉高电源整机功率密度、提升转换效率、缩减方案体积,在高端服务器、AI算力电源、高性能主板供电等场景具备极高应用价值。

功率密度大幅提升

ZeroBiasTLVR依托优势电源拓扑,消除TLVR电感磁芯的直流偏置,并减少一相电感,实现功率密度跃升15%~20%。DualSPS依托先进封装技术,将常规SPS进行二合一封装,实现功率密度强势提升33%。二者结合后,整体功率密度可提升50%~60%,有效压缩电源方案整体体积、简化布线设计,在高端服务器、AI算力电源、高性能主板供电等场景具备极高应用价值。

创新2合1、4合1TLVR电感(GroupTL),降低直流损耗

ZB-TLVRPHASE1输出要串联每个TLVR电感的副边绕组,每个副边绕组都需要通过PCB连接,导致副边绕组DCR(直流电阻)较高,影响电源效率。海光信息创新性地采用2合1、4合1TLVR电感(GroupTL),将多个副边绕组在电感内部直接连接,省去繁琐的PCB走线,大幅降低副边绕组的DCR,从而提升PHASE1的电源效率。

生态协同推动创新落地

本次技术融合方案,整合服务器架构设计、器件开发、散热仿真、量产验证等多方资源,协同攻克拓扑融合、定制器件开发、散热优化、环路稳定性调试等关键难点,成功打通电感、电源专用芯片的定制化研发与落地路径,引领算力电源技术升级方向。

产业生态协同是技术落地的关键。海光信息依托光合组织,联动上下游伙伴开展联合验证与场景化适配,加速方案迭代与规模化落地。凭借技术前瞻性与生态协同能力,推动AI服务器供电技术向高效化、高密度化、小型化全面演进,为AI算力爆发提供更强大的底层支撑。

【编辑:龚忻】