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全球硅知识产权(IP)领导供应商M31円星科技(M31)今日于2026年台积电北美技术研讨会宣布，其eUSB2V2接口IP已于台积电(TSMC)N2P工艺完成流片(Tapeout)。M31表示，该成果展现公司在先进工艺接口IP的投入，并将强化2纳米世代的设计，支援客户于高整合SoC中导入高速、低功耗的连结接口。
M31携手台积电完成eUSB2V2在N2P工艺流片，强化先进工艺设计IP生态系统
随着先进节点演进，SoC朝更高计算密度与更严苛能效(EnergyEfficiency)目标迈进，I/O接口除了需满足高速传输与相容性，必须在更低工作电压与更紧缩的功耗预算下，维持稳健的讯号品质与可制造性。M31本次完成流片的eUSB2V2，是针对TSMCN2P平台特性进行设计、电路与布局(Layout)层级的协同优化，以提升整体效能与功耗效率，并兼顾面积使用效率与系统整合弹性。
技术重点方面，在与既有USB2.0生态系統相容的前提下，支援1.2V/0.9V低电压操作，通过强化类比前端设计，包含导入可编程传输去加重(De-emphasis)与接收端CTLE/VGA等化技术，显著提升在先进工艺下传输通道的稳健性与设计弹性。在性能表现上，eUSB2V2最高可支援4.8Gbps(HS10)传输速率，并通过全新的等时传输突发机制(IsochronousBurst)提高同时传输的效率。eUSB2V2支援非对称频宽的HSUx/HSDx模式，预期在标准操作模式下达成50mW的极佳功耗表现。搭配N2P工艺，尤其适合AI、HPC与移动设备等追求高效能与低功耗平衡的应用。
针对此次在N2P平台的成果，M31总经理张原熏指出：“2纳米接口IP需贴合工艺平台，方能提升设计效率，并加速上市时程"，他进一步分享：“M31此次完成eUSB2V2IP于TSMCN2P工艺的流片，正是以平台导向为核心，协助客户更有效率地导入关键接口、缩短从设计推进到量产准备的时间，并强化2纳米节点的整体竞争力。"
M31强调，本次能达成流片的里程碑，来自与TSMC在先进工艺IP开发的密切合作，包括依循平台设计方法学、针对工艺与I/O条件进行电路与布局层级的调校，并配合平台设计参考流程。在TSMC先进节点上验证的IP，有助于提高M31与TSMC之共同客户提升接口整合、系统验证和产品进度计划的效率。
展望未来，M31规划将本次2纳米eUSB2V2IP的开发经验延伸更多TSMC的先进工艺，并持续支援AI、边缘运算与智能终端等成长动能，同时提升IP平台之长期价值。