日本开发成功全碳素集成电路

日期：2013年10月12日 

    日本名古屋大学与芬兰阿尔托大学共同研究、开发成功全碳素集成电路。属世界首次。  
    研究小组采用碳纳米管（CNT）制作电极和配电材料、用丙烯树脂制作绝缘材料，合成透明的全碳素集成电路。经测试，其电子移动速度达1000平方米/秒伏特，是一般在树脂基板上嵌入薄膜晶体管而成的集成电路的20倍以上。制品具有较高柔软性和伸缩性，通过热成型可制成各种立体形状，满足电子设备设计要求。研究小组期待该发明广泛用于可弯曲显示器、血压测定仪以及高性能集成电路等领域。