英飞凌热销大电流IGBT单管样品免费申请啦！

你需要IGBT吗?你会用IGBT吗?

从理论到实践,小编一步步助你用好IGBT!

TRENCHSTOP™5650VIGBT推向市场已经10年了,共有6大系列74个型号,适合10-100kHz工作频率应用,不少型号成为工业应用的标杆产品。

H5高速芯片和S5标准芯片的75A650V是其中两大热销产品,广泛用于光伏、储能、UPS、电动汽车充电中的高频功率变换。

除了热销的H5产品,英飞凌还新近推出了TRENCHSTOP™650VIGBT7T7和H7两大系列,17个型号。免费样品中的H7作为TRENCHSTOP™5H5的继承者,总损耗比H5降低高达39%。导通损耗降低25%,开通损耗降低77%,关断损耗增加20%@75A,175⁰C。该产品更适应于光伏、储能、UPS、电动汽车充电中的高频功率变换。

为了让读者更好的评估器件、体验性能,小编精心挑选了三款产品:

•IKW75N65EH575A650V免费样品:H5系列TO-247封装的最大规格,工作频率可达50kHz

•IKW75N65ES575A650V免费样品:S5系列TO-247封装的最大规格,硬开关工作频率10-40kHz

•IKWH75N65EH775A650V免费样品:IGBT7H7系列,采用TO-247封装,工作频率10-80kHz

问题

1.关于IKWH75N65EH775A650VIGBT7H7单管下面表述正确的是

a.有承受短路能力,关断电流能力在虚拟结温175摄氏度为75A

.没有承受短路能力,关断电流能力在壳温100摄氏度为80A

c.没有承受短路能力,关断电流能力在虚拟结温175摄氏度为300A

d.没有承受短路能力,只要保证散热,不过温过压,可以连续关断脉冲宽度不超过1微秒的300A电流

2.IKWH75N65EH775A650V采用IGBT7H7高速芯片和EC7二极管,下面表述正确的是:(参考数据手册回答问题)

a.在硬开关下,每次开通和关断都产生损耗,Eon>Eoff

.在硬开关下,每次开通和关断都产生损耗,随着结温升高,Eon和Eoff均增大

c.在硬开关下,每次开通都产生损耗,损耗Eon与续流二极管特性有关

d.在硬开关下,每次开通续流二极管会产生反向恢复损耗,增大栅极驱动电阻值能减小损耗

3.关于IKWH75N65EH775A650VIGBT7H7单管下面表述正确的是:

a.TRENCHSTOP™IGBT7650V系列,TO-247封装的最大电流规格是150A

.IKWH75N65EH7和IKW75N65EH5标称电流都是75A,在系统中输出电流能力一致

c.IKWH75N65EH7总损耗比IKW75N65EH5低,热阻更大

d.IKWH75N65EH7是可以替代IKW75N65EH5,其成本更低

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